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FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装