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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TT8U1TR
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TT8U1TR

Rohm Semiconductor 8-TSST 8745 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与TT8U1TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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TT93002 Switchcraft Inc. PANEL MOD JACK TT BLANK BLACK ...
TT93302 Switchcraft Inc. PANEL MOD JACK TT 2OPENING BLACK ...
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TT8OX Switchcraft Inc. PATCHCORD SGL 3COND ORANGE 8FT ...

TT8U1TR参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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