收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK2884(Q)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK2884(Q)

Toshiba TO-220-3(SMT)标片
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 5A TO220FL
参考包装数量:50
参考包装形式:散装

与2SK2884(Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK2884(SM,Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2884(TE24L) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2884(TE24L,Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2866(F) Toshiba TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2865(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK2884(Q)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1080pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别