收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > TT8J2TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TT8J2TR

Rohm Semiconductor 8-TSST 16873
询价QQ:
简述:MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与TT8J2TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TT8K2TR Rohm Semiconductor 8-TSST 3000 MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TT8M2TR Rohm Semiconductor 8-TSST MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
TT8OX Switchcraft Inc. PATCHCORD SGL 3COND ORANGE 8FT ...
TT8J21TR Rohm Semiconductor 8-TSST 3000 MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TT8J1TR Rohm Semiconductor 8-TSST MOSFET P-CH DUAL 12V 2.5A TSST8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
TT8GYX Switchcraft Inc. PATCHCORD SGL 3COND GRAY 8FT ...

TT8J2TR参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:84 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:460pF @ 10V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别