| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPS1120DRG4 |
Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+42500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPS-15 | Cooper Bussmann | 盒，非标准 | FUSE TELPOWER 15A 170VDC | 保险丝类型：慢速熔断，时滞型 电压 - 额定：170VDC 电流：15A... | |
| TPS-15L | Cooper Bussmann | 径向弯曲圆柱 | FUSE TELPOWER 15A 170VDC | 保险丝类型：慢速熔断，时滞型 电压 - 额定：170VDC 电流：15A... | |
| TPS-1L | Cooper Bussmann | 径向弯曲圆柱 | FUSE TELPOWER 1A 170VDC | 保险丝类型：慢速熔断，时滞型 电压 - 额定：170VDC 电流：1A... | |
| TPS1120DR | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000+42500 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| TPS1120DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+8100 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| TPS1120D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 452 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
