收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > TPCP8203(TE85L,F)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 40V 4.7A PS-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCP8203(TE85L,F)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCP8301(TE85L,F,M Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH DUAL 20V 5A PS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCP8302(TE85L,F) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH DUAL 20V 5A PS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V PS-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
TPCP8202(TE85L,F,M Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A PS-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCP8201(TE85L,F) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba 8-SMD,扁平引线 6000 MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPCP8203(TE85L,F)参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别