收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > TPCF8303(TE85L)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPCF8303(TE85L)

Toshiba 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET PCH 20V 3A VS-8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCF8303(TE85L)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCF8303(TE85L,F) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A VS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCF8305,LF(J Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 4A VS8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCF8302(TE85L,F,M Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET PCH 20V 3A VS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCF8302(TE85L) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET PCH 20V 3A VS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCF8301(TE85L,F) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET PCH 20V 2.7A VS-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

TPCF8303(TE85L)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:58 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:860pF @ 10V
功率 - 最大:530mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别