| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SUP85N10-10-GE3 |
Vishay Siliconix | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 参考包装数量：500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SUP85N10-10P-GE3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUP85N15-21-E3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SUP90N03-03-E3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUP85N10-10-E3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUP85N04-03-E3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUP85N03-3M6P-GE3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
