收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SUP85N04-03-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SUP85N04-03-E3

Vishay Siliconix TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 40V TO220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SUP85N04-03-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SUP85N10-10-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUP85N10-10P-GE3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUP85N03-3M6P-GE3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUP85N03-04P-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUP85N02-03-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SUP85N04-03-E3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):85A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6860pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别