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SUP57N20-33-E3

Vishay Siliconix TO-220-3 490
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简述:MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SUP57N20-33-E3参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):57A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5100pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:通孔

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