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SUP50N03-5M1P-GE3

Vishay Siliconix TO-220-3 369
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简述:MOSFET N-CH 30V TO-220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

与SUP50N03-5M1P-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SUP50N03-5M1P-GE3参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2780pF @ 15V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:通孔

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