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STV160NF03LAT4

STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘
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简述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
参考包装数量:600
参考包装形式:带卷 (TR)

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STV160NF03LAT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):160A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5350pF @ 25V
功率 - 最大值:210W
安装类型:表面贴装

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