收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STV160NF02LT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STV160NF02LT4

STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
参考包装数量:600
参考包装形式:带卷 (TR)

与STV160NF02LT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STV160NF03LAT4 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STV160NF03LT4 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 600 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STV200N55F3 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 1200 MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STV160NF02LAT4 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STV0976 STMicroelectronics IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA ...
STV08 TE Connectivity 1253 SWITCH DIP SIP LOW PRO 8POS ...

STV160NF02LT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):160A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4800pF @ 15V
功率 - 最大值:210W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别