收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STT5PF20V
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STT5PF20V

STMicroelectronics SOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STT5PF20V相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STT818B STMicroelectronics SOT-23-6 18000 TRANSISTOR PWR PNP LV SOT23-6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
STTA106U STMicroelectronics DO-214AA,SMB DIODE ULT FAST 600V 1A SMB 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):600V 电流 - 平均整流 (I...
STTA112U STMicroelectronics DO-214AA,SMB DIODE ULTRA FAST 1200V 1A SMB 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):1200V(1.2kV) 电流 -...
STT4PF20V STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STT3PF30L STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STT3PF20V STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STT5PF20V参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.5nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):412pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别