收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STT3PF30L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STT3PF30L

STMicroelectronics SOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STT3PF30L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STT4PF20V STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STT5PF20V STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STT818B STMicroelectronics SOT-23-6 18000 TRANSISTOR PWR PNP LV SOT23-6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
STT3PF20V STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STT2PF60L STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STT13005-K STMicroelectronics TO-225AA,TO-126-3 2475 TRANS NPN 400V 2A SOT32 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...

STT3PF30L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):420pF @ 25V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别