型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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STS8DNH3LL |
STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 询价QQ: |
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简述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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STS9D8NH3LL | STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 2500 | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
STS9NF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 2500 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
STS9NF3LL | STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 11452 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
STS8DNF3LL | STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 5000 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET 2N-CH 30V 10A SO8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
STS8C5H30L | STMicroelectronics | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 12500 | MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |