收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP16NF06L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP16NF06L

STMicroelectronics TO-220-3 11640
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP16NF06L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP16NF25 STMicroelectronics TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 250V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 1596 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NK65Z STMicroelectronics TO-220-3 80 MOSFET N-CH 650V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NF06FP STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NF06 STMicroelectronics TO-220-3 4938 MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 1168 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP16NF06L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):345pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别