收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP16NF06FP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP16NF06FP

STMicroelectronics TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP16NF06FP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP16NF06L STMicroelectronics TO-220-3 11640 MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP16NF25 STMicroelectronics TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 250V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 1596 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NF06 STMicroelectronics TO-220-3 4938 MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 1168 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16DPS05XTTR STMicroelectronics 24-TSSOP(0.173",4.40mm)裸露焊盘 2484 IC LED SINK DVR 16B LV 24HTSSOP 恒定电流:是 恒定电压:- 拓扑:线性,高端 输出数:16 内部驱动器:是 类型...

STP16NF06FP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):315pF @ 25V
功率 - 最大值:25W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别