收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > STF817A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF817A

STMicroelectronics TO-243AA 118
询价QQ:
简述:IC TRANS PWR PNP BIPO 30V SOT89
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与STF817A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF826 STMicroelectronics TO-243AA 2500 TRANSISTOR PNP MED PWR SOT-89 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
STF8N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 826 MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF8NK100Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 4767 MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF7NM80 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF7NM60N STMicroelectronics TO-220-5 整包 251 MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF7NM50N STMicroelectronics TO-220-3 整包 849 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STF817A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大):1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 1A,2V
功率 - 最大:1.4W
频率 - 转换:50MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别