收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STF7NM80
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF7NM80

STMicroelectronics TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STF7NM80相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF817A STMicroelectronics TO-243AA 118 IC TRANS PWR PNP BIPO 30V SOT89 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
STF826 STMicroelectronics TO-243AA 2500 TRANSISTOR PNP MED PWR SOT-89 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
STF8N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 826 MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF7NM60N STMicroelectronics TO-220-5 整包 251 MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF7NM50N STMicroelectronics TO-220-3 整包 849 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF7N95K3 STMicroelectronics TO-220-3 整包 498 MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STF7NM80参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.05 欧姆 @ 3.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):620pF @ 25V
功率 - 最大值:25W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别