收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD2LN60K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD2LN60K3

STMicroelectronics *
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 600V 2A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:*

与STD2LN60K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD2N62K3 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2NC45-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 3342 MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2NK100Z STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12500 MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 787 MOSFET N-CH 600V 2A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2HNK60Z STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 17500 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2805T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12500 TRANSISTOR PNP LV FAST SW DPAK 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - 集电极发...

STD2LN60K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):235pF @ 50V
功率 - 最大值:45W
安装类型:*

最近更新

型号类别