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STD2HNK60Z-1

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 787
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简述:MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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STD2HNK60Z-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

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