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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SSM3K106TU(TE85L)
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SSM3K106TU(TE85L)

Toshiba 3-SMD,扁平引线 6000
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简述:MOSFET N-CH SGL 20V 1.2A UFM
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SSM3K106TU(TE85L)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):310 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):36pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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