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SSM3J332R,LF

Toshiba SOT-23-3 扁平引线 9000
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简述:MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SSM3J332R,LF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):42 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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