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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SQD25N06-35L-GE3
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SQD25N06-35L-GE3

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简述:MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252
参考包装数量:2000
参考包装形式:

与SQD25N06-35L-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SQD25N15-52-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 150V 25A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SQD35N05-26L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQD40N04-10A-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQD25N06-22L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQD23N06-31L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SQD19P06-60L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH D-S 60V TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SQD25N06-35L-GE3参数资料


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