| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SQD25N06-35L-GE3 |
Vishay Siliconix | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252 参考包装数量：2000 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SQD25N15-52-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 150V 25A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SQD35N05-26L-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SQD40N04-10A-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SQD25N06-22L-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SQD23N06-31L-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SQD19P06-60L-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
