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SQD25N06-22L-GE3

Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SQD25N06-22L-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1975pF @ 25V
功率 - 最大值:62W
安装类型:表面贴装

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