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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPU07N60C3
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SPU07N60C3

Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
参考包装数量:1500
参考包装形式:管件

与SPU07N60C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPU07N60S5 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU08P06P Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU09P06PL Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPU04N60S5 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU04N60C3 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU0414HR5H-SB Knowles 2400 MIC MEMS ANALOG OMNI -22DB ...

SPU07N60C3参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):790pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

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