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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPU04N60S5
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SPU04N60S5

Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与SPU04N60S5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SPU07N60S5 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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SPU04N60S5参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):580pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔

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