| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD100N03S2L-04 |
Infineon Technologies | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 100A DPAK 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPD100N03S2L04T | Infineon Technologies | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | MOSFET N-CH 30V 100A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD11N10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD125-103M | API Delevan Inc | 非标准 | INDUCTOR SHIELDED 10.0UH SMD | 类型：铁氧体芯体 电感：10µH 额定电流：4A 电流 - 饱和：-... | |
| SPD09P06PLG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD09P06PL | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD08P06PG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
