型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD09P06PLG |
Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPD100N03S2L-04 | Infineon Technologies | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD | MOSFET N-CH 30V 100A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SPD100N03S2L04T | Infineon Technologies | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD | MOSFET N-CH 30V 100A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SPD11N10 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD09P06PL | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SPD08P06PG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD08P06P | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |