型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPB2 |
Hammond Manufacturing | 0+50 | 询价QQ: |
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简述:PANEL SWING KIT 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPB20N60C3 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB20N60S5 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB21N10 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB18P06PG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 5000 | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPB18P06P | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB17N80C3 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 23000 | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |