| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPB18P06PG |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPB2 | Hammond Manufacturing | 0+50 | PANEL SWING KIT | ... | |
| SPB20N60C3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPB20N60S5 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPB18P06P | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPB17N80C3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 23000 | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SPB16N50C3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 4000 | MOSFET N-CH 560V 16A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
