收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPB12N50C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPB12N50C3

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 24000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SPB12N50C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPB160100E3 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT-227 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):920mV @ 160A 电流 ...
SPB160N04S2-03 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPB160N04S2L-03 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPB11N60S5 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPB11N60C3 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 20000 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPB10N10LG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SPB12N50C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别