| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPB11N60C3 |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 20000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPB11N60S5 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 11A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPB12N50C3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 24000 | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SPB160100E3 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT-227 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：920mV @ 160A 电流 ... | |
| SPB10N10LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPB10N10L | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPB10N10G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
