收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > SKB06N60HS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SKB06N60HS

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:IGBT NPT 600V 12A 68W TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SKB06N60HS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SKB10N60A Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 20A 92W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SKB15N60 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 31A 139W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SKB15N60E8151 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 31A 139W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SKB06N60 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 600V 6A 68W TO263-3-2 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SKB04N60 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 9.4A 50W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SKB02N60E3266 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...

SKB06N60HS参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.15V @ 15V,6A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A
功率 - 最大:68W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别