型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIRA06DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V 25A SO8 PWR PK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V D-S SO-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SIRA04DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |