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SIRA04DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8
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简述:MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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SIRA04DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.15 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):77nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3595pF @ 15V
功率 - 最大值:27.7W
安装类型:表面贴装

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