收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIR838DP-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIR838DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIR838DP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIR840DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V POWERPAK 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 100V 60A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SIR836DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 8664 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SIR812DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 2821 MOSFET N-CH 30V SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SIR838DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 8.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2075pF @ 75V
功率 - 最大值:96W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别