型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIR836DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 8664 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SIR838DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET N-CH 150V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR840DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V POWERPAK 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SIR844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SIR826DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SIR812DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2821 | MOSFET N-CH 30V SO-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5310 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |