收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIHF18N50D-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIHF18N50D-E3

Vishay Siliconix TO-220-3 整包 50
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与SIHF18N50D-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIHF22N60E-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 1 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF22N60S-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 22A TO2220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF30N60E-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 953 MOSFET N-CH 600V 29A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF18N50C-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 18A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF15N60E-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 905 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF12N60E-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 960 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIHF18N50D-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 100V
功率 - 最大值:39W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别