收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIHF12N60E-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIHF12N60E-E3

Vishay Siliconix TO-220-3 整包 960
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
参考包装数量:50
参考包装形式:散装

与SIHF12N60E-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIHF15N60E-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 905 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF18N50C-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 18A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF18N50D-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 50 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHF10N40D-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 整包 15 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2805 MOSFET N CH 600V 7A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 3000 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIHF12N60E-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):937pF @ 100V
功率 - 最大值:147W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别