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SIB911DK-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L 双 3000
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简述:MOSFET DL P-CH 20V PPAK SC75-6
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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SIB911DK-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:295 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:115pF @ 10V
功率 - 最大:3.1W
安装类型:表面贴装

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