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SI7703EDN-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8
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简述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
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与SI7703EDN-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7703EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 3000 MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
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SI7686DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7682DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SI7703EDN-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):48 毫欧 @ 6.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 800µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

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