型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7686DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7703EDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)... | |
SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3000 | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)... |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 18000 | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SI7686DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SI7682DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SI7682DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |