| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7461DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 15000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI7462DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI7462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 238 | MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI7463DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI7461DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 12000 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI7460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 21000 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI7460DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2984 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
