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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI7461DP-T1-GE3
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SI7461DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 15000 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI7461DP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 238 MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 6000 MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7461DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 12000 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 21000 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 2984 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI7461DP-T1-GE3参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.9W
安装类型:表面贴装

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