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SI7460DP-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 2984
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简述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI7460DP-T1-E3参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.9W
安装类型:表面贴装

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