收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI7236DP-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI7236DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI7236DP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 6000 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 3000 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI7302DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7236DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V PWRPAK 8-SO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 13009 MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 3000 MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI7236DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.2 毫欧 @ 20.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:4000pF @ 10V
功率 - 最大:46W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别