| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7236DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 6000 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI7288DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 3000 | MOSFET N-CH 40V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI7302DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 20V PWRPAK 8-SO | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI7234DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 13009 | MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI7232DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3000 | MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
