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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI6969DQ-T1-GE3
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SI6969DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€n偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI6969DQ-T1-GE3参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:34 毫欧 @ 4.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

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