收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI6943BDQ-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI6943BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI6943BDQ-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 17813 MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 3000 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6943BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 6000 MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6933DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI6943BDQ-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别