| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI5509DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 10659 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 9000 | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 6000 | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
