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SI5509DC-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 10659
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简述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI5509DC-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A,3.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:52 毫欧 @ 5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:455pF @ 10V
功率 - 最大:2.1W
安装类型:表面贴装

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