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SI4965DY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI4965DY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:21 毫欧 @ 8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:55nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

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